Jeol JIB-PS500i SEM-FIB Taramalı Elektron Mikroskobu

Numune: 5 nm tasarım kuralına sahip yarı iletken cihaz (FinFET)

Gözlem Koşulları:

• Sol: 2 kV hızlandırma voltajı, SED (Sekonder Elektron Dedektörü), sekonder elektron görüntüsü

• Orta ve Sağ: 200 kV hızlandırma voltajı, TEM görüntüsü

• Kullanılan Cihaz: JEM-ARM200F

Yüksek Çözünürlüklü ve Yüksek Kontrastlı SEM Görüntüleme

Aşındırma (milling) işleminin son noktasını tahmin etmeye gerek kalmadan, yüksek kaliteli SEM görüntüleri ile süreci güvenle takip edin.

Sinyal Algılama Sistemi

Standart SED, UED ve iBED dedektörleri dâhil olmak üzere birden fazla dedektör seçeneği sunulmaktadır. Uygun dedektör seçimi sayesinde, farklı deney koşullarında ve çeşitli numunelerde net ve yüksek kaliteli görüntüler elde edilebilir.

Yüksek Çözünürlüklü SEM Görüntüleme

SEM kolonuna entegre edilen yeni nesil süper konik lens sistemi, düşük hızlandırma voltajlarında görüntüleme performansını önemli ölçüde artırır. Elde edilen yüksek kaliteli SEM görüntüleri, lamella numunesinin aşındırma (milling) işlemindeki son noktanın (end-point) hassas şekilde kontrol edilmesini sağlar.

FIB ile Hazırlanmış Kesitlerin SEM Görüntülenmesi

Geri çekilebilir arka saçılan elektron dedektörü (RBED)*, yüksek tabla eğimlerinde dahi kullanılabilir. Numune yüzeyi ve eğimli görüntüleme gerektiren FIB ile hazırlanmış kesitlerin görüntülenmesinde, SED, UED ve diğer dedektörlerin birlikte kullanımı sayesinde yüksek kaliteli kesitsel SEM görüntüleri elde edilir.

Numune: FIB ile hazırlanmış 3D NAND flaş bellek kesiti (200 nm)

Gözlem Koşulları: 2 kV
Üst: RBED
Sol: SED
Orta: RBED
Sağ: UED

EDS Entegrasyon Yazılımı*

EDS analiz fonksiyonları, cihazın ana kontrol yazılımına entegre edilmiştir. Böylece yazılım değiştirmeye gerek kalmadan doğrudan elementel analiz gerçekleştirilebilir. (Bu özellik yalnızca JEOL EDS ile donatılmış sistemlerde kullanılabilir.)

Yüksek Güçlü ve Yüksek Kaliteli FIB İşleme

En iyi numune hazırlığı için daha güçlü FIB işleme performansı.

Geniş Alanlarda Hızlı FIB İşleme

FIB kolonu, 100 nA'e kadar yüksek akımlı Ga (Galyum) iyon demeti ile işleme olanağı sunar. Bu yüksek akımlı işleme kapasitesi, özellikle geniş alanlı görüntüleme ve analiz uygulamalarında hızlı ve verimli numune hazırlığı sağlar.

Numune: Yarı iletken cihaz
Gözlem koşulları: Hızlandırma voltajı 3 kV, Dedektör SED (İkincil Elektron Dedektörü), İkincil elektron görüntüsü.
Numune bloğu: 200 × 4 × 15 µm. Numune bloğu, OmniProbe 400* kullanılarak alınmıştır.

Düşük kV İşleme ile Hasarlı Tabakanın Giderilmesi

FIB kolonu, JEOL'ün önceki modellerine göre daha kısa bir çalışma mesafesine sahip olacak şekilde tasarlanmıştır. Yeni güç kaynağı ile birlikte bu yapı, düşük hızlandırma voltajlarında işleme performansını önemli ölçüde artırır. Ayrıca, yeni kontrol sisteminin eklenmesi sayesinde, yüksek kaliteli lamella hazırlığı için gerekli olan yüksek hassasiyetli ince frezeleme (fine milling) işlemleri üstün performansla gerçekleştirilebilir.

Büyük Numunelerin Yüklenmesi

JIB-PS500i, geniş numune odası ve yeni geliştirilen 5 eksenli tam ösentirik büyük motorlu tabla ile donatılmıştır. Bu yapı, tabla hareket aralığını artırırken aynı zamanda büyük boyutlu numunelerin yerleştirilmesine olanak tanır.

Geniş hareket kabiliyetine sahip bu tabla sayesinde, 130 mm çapa kadar numunelerin tüm yüzeyi üzerinde FIB işleme ve görüntüleme gerçekleştirilebilir. Ayrıca, 80 mm yüksekliğe kadar olan numuneler de numune odasına güvenle yüklenebilir.

150 mm çapındaki bir silikon wafer (silisyum plaka), numune odasına yerleştirilmiştir.